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元件参数资料
>
参数目录49664
> FDD6630A MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK
型号:
FDD6630A
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDD6630A PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
产品目录绘图
DPAK, TO-252(AA)
标准包装
2,500
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
21A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
35 毫欧 @ 7.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
7nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
462pF @ 15V
功率 - 最大
1.3W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
TO-252
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1605 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
FDD6630A-ND
FDD6630ATR
查看FDD6630A代理商
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